Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 後藤 順; 中塚 慎一; 河田 雅彦; 大家 彰; 百瀬 正之 | |
| 1997-11-18 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1997-11-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードに対して、電流狭窄構造、および、光導波構造を容易に、かつ、再現性良く形成する作製法を与える。 【解決手段】マグネシウムを含むクラッド層を酸化する。 【効果】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードの低閾電流化、および、横モードの制御が可能となり、信頼性の高い短波長レーザが得られた。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在II-VI族半导体上形成氧化物区域，容易地获得具有电流限制结构或光导结构的半导体发光器件，其适于保持发光器件的II-VI半导体的结晶度。限制当前流动的区域。解决方案：半导体层压结构包括含Mg的II-VI族化合物。半导体覆层或光导层和受保护的电极接合部分（在那里形成p或n电极）。包层或光导层被氧化以在其中形成氧化物区域。在基板1上，例如，生长Cl掺杂的ZnSe层2，包层3，超晶格光导层4，有源层5，超晶格光导层6，包层7和接触层8.条纹形成在中心部分上通过使用光致抗蚀剂30接触层8，通过使用光致抗蚀剂30作为掩模，去除接触层8，并且在包层7的两侧形成氧化物区域9，除了中心部分以形成电流路径。 |
| 申请日期 | 1996-05-09 |
| 专利号 | JP1997298342A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996114571 |
| 公开（公告）号 | JP1997298342A |
| IPC 分类号 | H01L33/40 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78013 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 順,中塚 慎一,河田 雅彦,等. 半導体発光装置. JP1997298342A[P]. 1997-11-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997298342A.PDF（52KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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