Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体発光装置 | |
其他题名 | 半導体発光装置 |
後藤 順; 中塚 慎一; 河田 雅彦; 大家 彰; 百瀬 正之 | |
1997-11-18 | |
专利权人 | HITACHI LTD |
公开日期 | 1997-11-18 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードに対して、電流狭窄構造、および、光導波構造を容易に、かつ、再現性良く形成する作製法を与える。 【解決手段】マグネシウムを含むクラッド層を酸化する。 【効果】II-VI族半導体を用いたレーザダイオードの低閾電流化、および、横モードの制御が可能となり、信頼性の高い短波長レーザが得られた。 |
其他摘要 | 要解决的问题:通过在II-VI族半导体上形成氧化物区域,容易地获得具有电流限制结构或光导结构的半导体发光器件,其适于保持发光器件的II-VI半导体的结晶度。限制当前流动的区域。解决方案:半导体层压结构包括含Mg的II-VI族化合物。半导体覆层或光导层和受保护的电极接合部分(在那里形成p或n电极)。包层或光导层被氧化以在其中形成氧化物区域。在基板1上,例如,生长Cl掺杂的ZnSe层2,包层3,超晶格光导层4,有源层5,超晶格光导层6,包层7和接触层8.条纹形成在中心部分上通过使用光致抗蚀剂30接触层8,通过使用光致抗蚀剂30作为掩模,去除接触层8,并且在包层7的两侧形成氧化物区域9,除了中心部分以形成电流路径。 |
申请日期 | 1996-05-09 |
专利号 | JP1997298342A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1996114571 |
公开(公告)号 | JP1997298342A |
IPC 分类号 | H01L33/40 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
专利代理人 | 小川 勝男 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78013 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | HITACHI LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 順,中塚 慎一,河田 雅彦,等. 半導体発光装置. JP1997298342A[P]. 1997-11-18. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP1997298342A.PDF(52KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[後藤 順]的文章 |
[中塚 慎一]的文章 |
[河田 雅彦]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[後藤 順]的文章 |
[中塚 慎一]的文章 |
[河田 雅彦]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[後藤 順]的文章 |
[中塚 慎一]的文章 |
[河田 雅彦]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论