複合光デバイスの製造方法

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	複合光デバイスの製造方法
其他题名	複合光デバイスの製造方法
	瀧口透; 鈴木大輔; 竹見政義; 多田仁史
	2000-10-06
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	2000-10-06
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】レーザ発振領域および光変調器領域を含むレーザメサ部の端面およびアイソレーショントレンチの形成にかかる工程において、(110)面における結晶成長に対して(001)面における化合物半導体の結晶成長を助長し、絶縁膜や開口部の両壁面上部への化合物半導体の結晶成長を抑制すること。【解決手段】化合物半導体基板の(001)面上に第1クラッド層を介して形成された活性層、第2クラッド層、光ガイド層および第3クラッド層を含むレーザ発振領域と該第1クラッド層上に光導波または光吸収層および第2クラッド層を含む光変調器領域を含むメサ構造部が、該活性層の一端面と該光導波または光吸収層の一端面とを接合するように構成され、および光変調器領域のレーザ発振領域と接合している端面と反対の端面が[110]と直交する方向[1/10]とほぼ45°の角度を成すように形成されることを含む複合光デバイスの製造方法。
其他摘要	要解决的问题：通过辅助化合物半导体在（001）面上的晶体生长相对于晶体生长来抑制化合物半导体在绝缘膜和开口的每个壁表面的顶部上的晶体生长（ 110）在形成包括激光振荡区域和光调制器区域的激光台面部分的端面和隔离沟槽的过程中面对。解决方案：在这种制造复合光学器件的方法中，台面结构部分包括激光振荡区域，该激光振荡区域包括形成在其上的有源层3，第二覆层4，光导层5和第三覆层6。（001）经由第一覆层2的化合物半导体衬底的面，以及在第一覆层2上包括光波导或光吸收层10和第二覆层4的光调制器区域被设计为连接一个有源层3的端面具有光波导或光吸收层10的一个端面。与激光振荡区域连接的端面相对的光调制器区域的端面以大约45°的角度形成。度。方向[1/10]垂直于方向[110]。
申请日期	1999-03-26
专利号	JP2000275460A
专利状态	失效
申请号	JP1999083727
公开（公告）号	JP2000275460A
IPC 分类号	H01S5/50 \| G02F1/025 \| G02B6/13 \| H01S5/00
专利代理人	青山葆 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77152
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	瀧口透,鈴木大輔,竹見政義,等. 複合光デバイスの製造方法. JP2000275460A[P]. 2000-10-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000275460A.PDF（112KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文