半導体レ-ザ装置

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	半導体レ-ザ装置
其他题名	半導体レ-ザ装置
	魚見和久; 茅根直樹; ▲吉▼沢みすず; 中塚慎一; 梶村俊
	1996-04-30
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	1996-07-10
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain a semiconductor laser having high output with one emitting beam and high reliability by providing different regions of a half number of laser emitting stripes at least one position. CONSTITUTION:An N-type Ga0.5Al0.5As clad layer 2, an undoped Ga0.86Al0.14As active layer 3, a P-type Ga0.5Al0.5As clad layer 4, an N-type GaAs current narrowing layer 5 are sequentially formed by a MOCVD method on an N-type GaAs substrate crystal The layer 5 is completely removed by photoetching step, four groove stripes of 4mum of width for exposing the surface of the layer 4 are formed near both ends of the laser, and two groove stripes are formed at the center of the laser. Then, a P-type Ga0.5Al0.5As clad layer 6, and a P-type GaAs cap layer 7 are formed by MOCVD method, a P-type electrode 8 and an N-type electrode 9 are formed, and a laser element of approx. 300mum of resonator is obtained by a cleaving method. Thus, a phased array laser having low aberration and high output of refractive index waveguide type can be realized.
其他摘要	目的：通过在至少一个位置提供半数激光发射条纹的不同区域，获得具有一个发射光束和高可靠性的高输出半导体激光器。组成：N型Ga0.5Al0.5As包层2，未掺杂的Ga0.86Al0.14As有源层3，P型Ga0.5Al0.5As包层4，N型GaAs电流窄化层5依次通过MOCVD方法在N型GaAs衬底晶体1上形成。通过光刻步骤完全去除层5，在激光器的两端附近形成4个宽度为4μm的凹槽条，用于暴露层4的表面，并且在激光器的中心形成两个凹槽条纹。然后，通过MOCVD法形成P型Ga0.5Al0.5As包覆层6和P型GaAs盖层7，形成P型电极8和N型电极9，以及激光元件大约通过切割方法获得300mum的谐振器。因此，可以实现具有低像差和高输出折射率波导类型的相控阵激光器。
申请日期	1985-09-04
专利号	JP2515729B2
专利状态	失效
申请号	JP1985193740
公开（公告）号	JP2515729B2
IPC 分类号	H01S \| H01S5/40 \| H01S5/343 \| H01S5/10 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	小川勝男 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76527
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	魚見和久,茅根直樹,▲吉▼沢みすず,等. 半導体レ-ザ装置. JP2515729B2[P]. 1996-04-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2515729B2.PDF（44KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文