半導体レーザの製造方法

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	半導体レーザの製造方法
其他题名	半導体レーザの製造方法
	冨永浩司; 吉年慶一; 山口隆夫
	1997-08-15
专利权人	三洋電機株式会社
公开日期	1997-12-08
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To make both low-output and high-output oscillations possible by a method wherein a low-position surface and a high-position surface are divided by the ridge, first and second grooves going through the current conflicting layer formed on these surfaces are formed respectively and a double heterostructure layer is formed by growth on the current conflicting layer. CONSTITUTION:A ridge 21 is provided on the surface of a p-type GaAs substrate 20 for dividing into a surface 22 of a low position and a surface 23 of a high position while a first groove 25 and a second groove 26 going through a current contraction layer 24 formed on the surface of the substrate 20 are formed on the low position surface 22 and the high position surface 23 respectively. Including the grooves 25 and 26, a cap layer 31 consisting of a double heterostructure layer 27 and n-type GaAs is formed in order by a liquid phase epitaxial method. Growth speed on the high position surface is slow and the thickness of each layer constituting the double heterostructure layer 27 is large on the low position surface 22 while being small on the high level surface 23. Thereby, the first laser part of low output and the second laser part of high output constituting a monolithic type laser are simultaneously formed by the same growth process so as to be able to attain high output and a multimode operation.
其他摘要	目的：通过一种方法使低输出和高输出振荡成为可能，其中低位置表面和高位置表面被脊分开，穿过形成在这些表面上的电流冲突层的第一和第二凹槽是分别形成双异质结构层，通过在电流冲击层上生长形成双异质结构层。组成：一个脊21设置在p型GaAs基板20的表面上，用于分成低位置的表面22和高位置的表面23，同时第一凹槽25和第二凹槽26通过电流形成在基板20的表面上的收缩层24分别形成在低位置表面22和高位置表面23上。通过液相外延法依次形成包括凹槽25和26的由双异质结构层27和n型GaAs组成的盖层31。高位置表面上的生长速度慢，并且构成双异质结构层27的每层的厚度在低位置表面22上较大而在高水平表面23上较小。因此，低输出的第一激光器部分和构成单片型激光器的高输出的第二激光器部分通过相同的生长工艺同时形成，以便能够获得高输出和多模操作。
申请日期	1989-03-24
专利号	JP2686133B2
专利状态	失效
申请号	JP1989072869
公开（公告）号	JP2686133B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/026 \| H01L21/208 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	安富耕二 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76476
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三洋電機株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	冨永浩司,吉年慶一,山口隆夫. 半導体レーザの製造方法. JP2686133B2[P]. 1997-08-15.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2686133B2.PDF（37KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文