Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体素子 | |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 岸野 克巳; 野村 一郎; 田才 邦彦; 山口 恭司; 中村 均; 藤崎 寿美子; 紀川 健 | |
| 2010-02-18 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 2010-02-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】n型クラッド層およびp型クラッド層が共に主として同種の混晶からなり、かつ低抵抗化可能であって活性層とタイプI接合し得る半導体素子を提供する。 【解決手段】n型クラッド層12およびp型クラッド層16が共に、主としてMgx1Znx2Cd1-x1-x2Se混晶層(第1半導体層12A,16A)と、主としてMgx3Bex4Zn1-x3-x4Sex5Te1-x5混晶層(第2半導体層12B,16B)を交互に含む超格子構造となっている。n型クラッド層12は、第1半導体層12Aおよび第2半導体層12Bのうち少なくとも第1半導体層12Aにn型不純物を含んでいる。p型クラッド層16は、第1半導体層16Aおよび第2半導体層16Bのうち少なくとも第2半導体層16Bにp型不純物を含んでいる。 【選択図】図2 |
| 其他摘要 | 种类代码：A1提供一种半导体器件，其包括n型包覆层和p型包覆层，它们主要由相同种类的混晶组成，并且可以降低电阻，并且可以是与有源层结合的I型。 解决方案：n型包覆层12和p型包覆层16均主要由Mg x 1 Zn x 2 Cd 1 - x 1 - 组成sub> x 2 Se混合晶体层（第一半导体层12A，16A）并且主要是Mg x 3 Be x 4 Zn 1 - x 3 - x 4和超晶格结构，包括交替的Se x5 Te 1-x5 混合晶体层（第二半导体层12B，16B） n型包覆层12在第一半导体层12A和第二半导体层12A的至少第一半导体层12A中包含n型杂质。 p型包覆层16在第一半导体层16A和第二半导体层16B的至少第二半导体层16B中包含p型杂质。 .The |
| 申请日期 | 2008-08-07 |
| 专利号 | JP2010040926A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008204403 |
| 公开（公告）号 | JP2010040926A |
| IPC 分类号 | H01S5/347 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 | 三反崎 泰司 | 長谷部 政男 | 田名網 孝昭 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75752 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,田才 邦彦,等. 半導体素子. JP2010040926A[P]. 2010-02-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2010040926A.PDF（121KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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