Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 湯浅 貴之; 猪口 和彦 | |
| 1997-07-15 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 1997-07-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 Inを含む化合物半導体膜と、Inを含まない化合物半導体膜とのへテロ構造を有し、ヘテロ接合界面での変質や転位等が少なく、特性の良好な半導体発光素子101を得る。 【解決手段】 半導体積層構造101aを構成する、InGaNからなる第1の化合物半導体層12,14と、AlGaNまたはGaNからなる第2の化合物半導体層13とを、有機ラジカルによるアシストを利用して成長した構造とした。 |
| 其他摘要 | 种类：A1：一种半导体发光元件101，其具有含有In的化合物半导体膜的异质结构和不含In的化合物半导体膜，异质结界面的劣化和位错较少，并且具有良好的特性。 解决方案：利用有机基团的辅助生长由InGaN制成的第一化合物半导体层12,14和由构成半导体多层结构101a的AlGaN或GaN制成的第二化合物半导体层13结构制作完成。 |
| 申请日期 | 1995-12-27 |
| 专利号 | JP1997186403A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995341880 |
| 公开（公告）号 | JP1997186403A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/06 | C30B25/02 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L21/205 | C30B29/38 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 山本 秀策 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74764 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 湯浅 貴之,猪口 和彦. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1997186403A[P]. 1997-07-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997186403A.PDF（72KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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