半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
其他题名	半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装
	成演准; 金珉成
	2019-09-03
专利权人	LG伊诺特有限公司
公开日期	2019-09-03
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	实施例中公开了一种半导体器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层、第三子半导体层，以及第二子半导体层，第二子半导体层设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，其中第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个，其中第二导电半导体层包括电流注入层，其中铝的比例随着与有源层的距离的增加而减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层上，并且第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：6的范围内。
其他摘要	实施例中公开了一种半导体器件，包括：第一导电半导体层；第二导电半导体层；有源层，设置在第二导电半导体层和第二导电半导体层之间；第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，第一导电半导体层包括第一子半导体层、第三子半导体层，以及第二子半导体层，第二子半导体层设置在第一子半导体层和第三子半导体层之间，其中第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个均大于有源层中的铝的比例，第二子半导体层中的铝的比例小于第一子半导体层中的铝的比例和第三子半导体层中的铝的比例二者的每一个，其中第二导电半导体层包括电流注入层，其中铝的比例随着与有源层的距离的增加而减小，第一电极设置在第二子半导体层上，第二电极设置在电流注入层上，并且第二子半导体层的铝的比例的平均值与电流注入层的铝的比例的平均值的比率在1：0.12至1：6的范围内。
申请日期	2018-01-19
专利号	CN110199398A
专利状态	申请中
申请号	CN201880007864.2
公开（公告）号	CN110199398A
IPC 分类号	H01L33/62 \| H01L33/38 \| H01L33/14
专利代理人	石海霞
代理机构	隆天知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/72906
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LG伊诺特有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	成演准,金珉成. 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装. CN110199398A[P]. 2019-09-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110199398A.PDF（973KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文