半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ

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	半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ
其他题名	半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ
	太田誠; 横山弘之; 倉本大; 池田昌夫
	2010-07-08
专利权人	SONY CORP
公开日期	2010-07-08
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】遠視野像の形状を悪化させることなく、十分に強いセルフパルセーション動作を行うことができ、低雑音のレーザ光を安定して得ることができ、しかも製造が容易な半導体レーザを提供する。【解決手段】クラッド層にリッジストライプ11を有するセルフパルセーション半導体レーザにおいて、リッジストライプ11のうちの共振器長方向の中央部の両側面の近傍の部分にイオン注入などにより高抵抗領域14を形成する。高抵抗領域14は電流狭窄領域として働き、この高抵抗領域14が形成された部分のリッジストライプ11ではこの高抵抗領域14の間の部分が電流注入領域となる。【選択図】図2
其他摘要	要解决的问题：提供能够执行足够强的自脉冲操作而不会使远场图案的形状劣化，能够稳定地获得低噪声激光并且易于制造的半导体激光器到。在包层中具有脊形条纹的自脉冲半导体激光器中，通过离子注入等在谐振器长度方向上的中央部分的两个侧面附近的脊形条纹11的一部分中形成高电阻区域。到。高电阻区域14用作电流限制区域，并且在形成高电阻区域14的脊形条带11中，高电阻区域14之间的部分用作电流注入区域。 .The
申请日期	2008-12-24
专利号	JP2010153430A
专利状态	失效
申请号	JP2008327173
公开（公告）号	JP2010153430A
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/22 \| H01S5/343 \| G11B7/22
专利代理人	森幸一 \| 逢坂宏 \| 松村修
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/70025
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	太田誠,横山弘之,倉本大,等. 半導体レーザ、半導体レーザの製造方法、光ディスク装置および光ピックアップ. JP2010153430A[P]. 2010-07-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2010153430A.PDF（112KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文