Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 | |
其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 |
津田 有三; 湯浅 貴之; 伊藤 茂稔; 種谷 元隆; 山崎 幸生 | |
2002-08-02 | |
专利权人 | シャープ株式会社 |
公开日期 | 2002-08-02 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命を改善する。 【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板の1主面に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む発光素子構造とを含み、溝の幅方向の中央から1μm以上離れかつ丘の幅方向の中央からも1μm以上離れた領域の上方に多層発光構造の電流狭窄部が形成されていることを特徴としている。 |
其他摘要 | 要解决的问题:延长氮化物半导体发光元件的发光寿命。解决方案:氮化物半导体发光元件包括经处理的基板101,其包括形成在氮化物半导体基板的一个主表面上的凹槽和山丘,覆盖经处理的基板的凹槽和山丘的氮化物半导体基础层102,以及光 - 发光元件结构包括量子阱层或量子阱层和发光层106,发光层106包括在n型层103至105之间与其相邻的阻挡层和氮化物半导体上的p型层107至110基层,并且在一个区域上方形成的多层发光结构中具有电流限制部分,该区域距离沟槽的宽度方向中心≥1μm,并且距离宽度方向> =1μm山丘的中心。 |
申请日期 | 2001-01-15 |
专利号 | JP2002217498A |
专利状态 | 授权 |
申请号 | JP2001006745 |
公开(公告)号 | JP2002217498A |
IPC 分类号 | H01S5/02 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/32 | G11B7/125 |
专利代理人 | 深見 久郎 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69601 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 津田 有三,湯浅 貴之,伊藤 茂稔,等. 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置. JP2002217498A[P]. 2002-08-02. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2002217498A.PDF(84KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[津田 有三]的文章 |
[湯浅 貴之]的文章 |
[伊藤 茂稔]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[津田 有三]的文章 |
[湯浅 貴之]的文章 |
[伊藤 茂稔]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[津田 有三]的文章 |
[湯浅 貴之]的文章 |
[伊藤 茂稔]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论