窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置

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	窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
其他题名	窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置
	津田有三; 湯浅貴之; 伊藤茂稔; 種谷元隆; 山崎幸生
	2002-08-02
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2002-08-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】窒化物半導体発光素子の発光寿命を改善する。【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板の1主面に形成された溝と丘を含む加工基板101と、この加工基板の溝と丘を覆う窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層106を含む発光素子構造とを含み、溝の幅方向の中央から1μm以上離れかつ丘の幅方向の中央からも1μm以上離れた領域の上方に多層発光構造の電流狭窄部が形成されていることを特徴としている。
其他摘要	要解决的问题：延长氮化物半导体发光元件的发光寿命。解决方案：氮化物半导体发光元件包括经处理的基板101，其包括形成在氮化物半导体基板的一个主表面上的凹槽和山丘，覆盖经处理的基板的凹槽和山丘的氮化物半导体基础层102，以及光 - 发光元件结构包括量子阱层或量子阱层和发光层106，发光层106包括在n型层103至105之间与其相邻的阻挡层和氮化物半导体上的p型层107至110基层，并且在一个区域上方形成的多层发光结构中具有电流限制部分，该区域距离沟槽的宽度方向中心≥1μm，并且距离宽度方向> =1μm山丘的中心。
申请日期	2001-01-15
专利号	JP2002217498A
专利状态	授权
申请号	JP2001006745
公开（公告）号	JP2002217498A
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/32 \| G11B7/125
专利代理人	深見久郎
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69601
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	津田有三,湯浅貴之,伊藤茂稔,等. 窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置. JP2002217498A[P]. 2002-08-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2002217498A.PDF（84KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文