Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 | |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 |
| 岸野 克巳; 野村 一郎; 山口 恭司; 田才 邦彦; 中島 博; 中村 均; 藤崎 寿美子 | |
| 2010-03-11 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 2010-03-11 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】電気伝導度の大きなp型クラッド層を備えたII-VI族化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】上部クラッド層16内の超格子構造において交互に積層された上部クラッド層16A(MgSe層)および第2上部クラッド層16B(BeZnTe層)の間に、中間層16C,16D(ZnSe層またはZnTe層)が配置されている。さらに、中間層16C,16D(ZnSe層)のうち第2上部クラッド層16B(BeZnTe層)との界面にZn原子が配置されている。これにより、上部クラッド層16を形成するに際して、特定的に反応性の高いBeとSeとが互いに接することがない。 【選択図】図3 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供具有导电性大的p型包层的II-VI族化合物半导体元件，并提供其制造方法。解决方案：上包层16中的超晶格结构具有中间层16C和16D（ZnSe层或ZnTe层），其布置在交替层叠的上包层16A（MgSe层）和第二上包层16B（BeZnTe层）之间。此外，Zn原子排列在中间层16C，16D（ZnSe层）和第二上包层16B（BeZnTe层）的界面上。因此，当形成上包层16时，具有特别高反应性的Be和Se永远不会彼此接触。 Ž |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2008-08-26 |
| 专利号 | JP2010056119A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2008216428 |
| 公开（公告）号 | JP2010056119A |
| IPC 分类号 | H01S5/347 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 | 三反崎 泰司 | 長谷部 政男 | 田名網 孝昭 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67302 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野 克巳,野村 一郎,山口 恭司,等. II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法. JP2010056119A[P]. 2010-03-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2010056119A.PDF（322KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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