半导体激光器的制作方法

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	半导体激光器的制作方法
其他题名	半导体激光器的制作方法
	冯美鑫; 张书明; 王辉; 刘建平; 曾畅; 李增成; 王怀兵; 杨辉
	2011-12-28
专利权人	苏州纳睿光电有限公司
公开日期	2011-12-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及半导体激光器技术，尤其是一种半导体激光器的制作方法。其步骤包括：在激光器外延片表面刻蚀出脊型区(2)；通过光刻技术，在激光器的前后腔面附近注入离子；然后在500～1200℃、保护气氛下进行快速退火；接着在激光器的脊型区(2)上方蒸镀P型接触电极(5)；减薄激光器的衬底后蒸镀上N型接触电极(8)；经过解理后得到激光器bar条；在激光器bar条前腔面和后腔面分别蒸镀或沉积增透膜(6)和高反膜(7)；最后把激光器bar条进行分割或解理，完成单个激光器的制作。本发明方法可以有效减少腔面处的光吸收，减少腔面处的光功率密度，有效增加激光器的最大输出功率。
其他摘要	本发明涉及半导体激光器技术，尤其是一种半导体激光器的制作方法。其步骤包括：在激光器外延片表面刻蚀出脊型区(2)；通过光刻技术，在激光器的前后腔面附近注入离子；然后在500～1200℃、保护气氛下进行快速退火；接着在激光器的脊型区(2)上方蒸镀P型接触电极(5)；减薄激光器的衬底后蒸镀上N型接触电极(8)；经过解理后得到激光器bar条；在激光器bar条前腔面和后腔面分别蒸镀或沉积增透膜(6)和高反膜(7)；最后把激光器bar条进行分割或解理，完成单个激光器的制作。本发明方法可以有效减少腔面处的光吸收，减少腔面处的光功率密度，有效增加激光器的最大输出功率。
主权项	一种半导体激光器的制作方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1，在激光器外延片表面刻蚀出脊型区(2)；步骤2，利用刻蚀技术，通过离子注入机在激光器的前后腔面附近注入离子，形成离子注入区〔3〕；步骤3，然后在500～1200℃、保护气氛下进行快速退火；步骤4，在激光器外延片上蒸镀或沉积一层隔离层(4)；步骤5，结合刻蚀技术，在所述脊型区(2)上方蒸镀P型接触电极(5)；步骤6，采用刻蚀和蒸镀的方法在脊型区(2)上方形成P型加厚电极(9)；步骤7，对激光器外延片的衬底减薄，然后在所述的衬底上蒸镀N型接触电极(8)；步骤8，解理后得到激光器bar条；步骤9，在激光器bar条前腔面和后腔面分别蒸镀或沉积增透膜(6)和高反膜(7)；步骤10，最后把激光器bar条进行分割或解理，完成单个激光器的制作。
申请日期	2011-07-15
专利号	CN102299480A
专利状态	失效
申请号	CN201110198268.7
公开（公告）号	CN102299480A
IPC 分类号	H01S5/10
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67024
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州纳睿光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	冯美鑫,张书明,王辉,等. 半导体激光器的制作方法. CN102299480A[P]. 2011-12-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102299480A.PDF（724KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文