用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法

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	用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法
其他题名	用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法
	刘媛媛; 杨富华
	2013-06-19
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2013-06-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法，其中用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，包括：一硅片；一第一二氧化硅层，其制作在硅片的正面；一第二二氧化硅层，其制作在硅片的背面；一第一金属化层，其制作在第一二氧化硅层上，该第一金属化层分为两段，其中间部位有一缝隙；一第二金属化层，其制作在第二二氧化硅层上。本发明具有热导率相差不大(硅热导率：148W/m/℃)而成本更加低廉，同时由于硅表面易于做到很高的光洁度，与半导体器件更加容易形成良好的接触，从而散热效果更好。
其他摘要	本发明提供一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法，其中用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，包括：一硅片；一第一二氧化硅层，其制作在硅片的正面；一第二二氧化硅层，其制作在硅片的背面；一第一金属化层，其制作在第一二氧化硅层上，该第一金属化层分为两段，其中间部位有一缝隙；一第二金属化层，其制作在第二二氧化硅层上。本发明具有热导率相差不大(硅热导率：148W/m/℃)而成本更加低廉，同时由于硅表面易于做到很高的光洁度，与半导体器件更加容易形成良好的接触，从而散热效果更好。
主权项	一种用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉，包括：一硅片；一第一二氧化硅层，其制作在硅片的正面；一第二二氧化硅层，其制作在硅片的背面；一第一金属化层，其制作在第一二氧化硅层上，该第一金属化层分为两段，其中间部位有一缝隙；一第二金属化层，其制作在第二二氧化硅层上。
申请日期	2013-03-22
专利号	CN103166105A
专利状态	失效
申请号	CN201310093472.1
公开（公告）号	CN103166105A
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66714
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘媛媛,杨富华. 用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法. CN103166105A[P]. 2013-06-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103166105A.PDF（311KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文