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基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110190511A, 申请日期: 2019-08-30, 公开日期: 2019-08-30
发明人:  姬小利;  谭晓宇;  魏同波;  王军喜;  杨富华;  李晋闽
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用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103166105A, 申请日期: 2013-06-19, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  刘媛媛;  杨富华
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3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1145247C, 申请日期: 2004-04-07, 公开日期: 2004-04-07
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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