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一种用于半导体激光器腔面反射涂层的结构
其他题名一种用于半导体激光器腔面反射涂层的结构
吴根柱; 齐鸣; 张永刚; 李爱珍
2003-03-05
专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期2003-03-05
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供一种实现半导体激光器后腔面高反射涂层的膜系结构,目的是提高激光器输出功率,减小阈值电流,改善激光器各方面性能。其特征在于本发明采用既廉价又容易蒸发的金属银(Ag)做为高反射镀膜材料,以其它折射率接近8的氧化物介质膜,如ZrO2、SiO、Al2O3中一种作为垫底和保护膜,在激光器后腔面用电子束蒸镀方法实现了高反射涂层。经不同激光器上实施后表明,该涂层能使激光器功率提高60%,减小阈值电流20-50%,并且有良好的化学稳定性、热稳定性和牢固性,能有效保护半导体激光器后腔面。与现有的半导体激光器腔面镀膜技术相比,本发明具有膜系结构简单,实施容易,成本低,更适合于生产领域等优点。
其他摘要本发明提供一种实现半导体激光器后腔面高反射涂层的膜系结构,目的是提高激光器输出功率,减小阈值电流,改善激光器各方面性能。其特征在于本发明采用既廉价又容易蒸发的金属银(Ag)做为高反射镀膜材料,以其它折射率接近8的氧化物介质膜,如ZrO2、SiO、Al2O3中一种作为垫底和保护膜,在激光器后腔面用电子束蒸镀方法实现了高反射涂层。经不同激光器上实施后表明,该涂层能使激光器功率提高60%,减小阈值电流20-50%,并且有良好的化学稳定性、热稳定性和牢固性,能有效保护半导体激光器后腔面。与现有的半导体激光器腔面镀膜技术相比,本发明具有膜系结构简单,实施容易,成本低,更适合于生产领域等优点。
主权项一种用于半导体激光器腔面反射涂层的膜系结构,其特征在于它由λ/4n厚氧化物薄膜/80-100nm厚Ag膜/40-50nm厚相同组成和结构的氧化物薄膜构成。式中λ为激光器激射波长,n为氧化物薄膜折射率,其值接近8。
申请日期2002-08-23
专利号CN1400698A
专利状态失效
申请号CN02136624.1
公开(公告)号CN1400698A
IPC 分类号H01S5/10
专利代理人潘振甦
代理机构上海智信专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66635
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
吴根柱,齐鸣,张永刚,等. 一种用于半导体激光器腔面反射涂层的结构. CN1400698A[P]. 2003-03-05.
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