红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法

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	红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
其他题名	红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
	赵勇明; 董建荣; 李奎龙; 孙玉润; 曾徐路; 于淑珍; 赵春雨; 杨辉
	2013-11-20
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2013-11-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n=0.04～0.34；x=0.48～0.54，y=0.04～0。本发明采用InxGa1-xAs1-yBiy材料作为半导体激光器有源区的材料，基于晶格匹配生长，能够兼容DBR、DFB及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构，且激光器采用无Al结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。
其他摘要	本发明公开了一种红外半导体激光器的有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n=0.04～0.34；x=0.48～0.54，y=0.04～0。本发明采用InxGa1-xAs1-yBiy材料作为半导体激光器有源区的材料，基于晶格匹配生长，能够兼容DBR、DFB及垂直腔面发射激光器等其它类型激光器结构，且激光器采用无Al结构提高了器件的性能及寿命。本发明还提供了半导体激光器及其制作方法。
主权项	一种红外半导体激光器的有源区，其特征在于，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为InmGa1-mAs1-nBin，所述量子阱结构中势垒层的材料为InxGa1-xAs1-yBiy，其中m=0.48～0，n=0.04～0.34；x=0.48～0.54，y=0.04～0。
申请日期	2013-08-13
专利号	CN103401144A
专利状态	授权
申请号	CN201310351168.2
公开（公告）号	CN103401144A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	杨林 \| 马翠平
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66506
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵勇明,董建荣,李奎龙,等. 红外半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法. CN103401144A[P]. 2013-11-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103401144A.PDF（535KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文