電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

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	電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
其他题名	電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
	幡俊雄; 菅原聰; 花岡大介
	1998-12-18
专利权人	SHARP CORP
公开日期	1998-12-18
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】動作電圧が低く、発振開始電流を低減でき、電気的特性を向上できる電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 AlNバッファ層2をエッチングし、層厚の厚いバッファ層領域2aと層厚の薄いバッファ層領域2bを形成する。続いて、SiドープN型GaN層3、GaN層3’、Al0.1Ga0.9Nクラッド層4、In0.15Ga0.85N活性層5を成長させ、MgドープAl0.1Ga0.9Nクラッド層6を成長させ、続いて、MgドープGaNコンタクト層7を成長させる。層厚の薄いバッファ層2b上の領域に形成されたGaN層3’及びクラッド層4の領域10bのキャリヤ濃度は約5×1017cm‐3とし、層厚の厚いバッファ層2a上の領域に形成されたGaN層3’及びクラッド層4の領域10aのキャリヤ濃度は約2×1016cm‐3とする。
其他摘要	要解决的问题：在低工作电压下提供电流绞合氮化镓基化合物半导体发光元件，能够减小振荡起始电流，同时增强电特性。解决方案：蚀刻掉AlN缓冲层2以形成厚缓冲层区域2a和薄缓冲层区域2b。接着，Si掺杂N型GaN层3，另一GaN层3'，Al0.1Ga0.9N包层4，In0.15Ga0.85N有源层5，Mg掺杂Al0.1Ga0.9生长包层6和Mg掺杂的GaN接触层7。在这种结构中，形成在薄缓冲层2b上的GaN层3'和包层4的区域10b的载流子浓度规定为约5×10 17 cm -3，而载流子浓度为形成在厚缓冲层2a上的GaN层3'和包层4的区域10a规定为2×10 16 cm -3。
主权项	-
申请日期	1997-06-02
专利号	JP1998335749A
专利状态	失效
申请号	JP1997144326
公开（公告）号	JP1998335749A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01L33/12 \| H01L33/14 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64388
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	幡俊雄,菅原聰,花岡大介. 電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法. JP1998335749A[P]. 1998-12-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998335749A.PDF（59KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文