F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法

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	F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法
其他题名	F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法
	冯美鑫; 张书明; 王辉; 刘建平; 曾畅; 李增成; 王怀兵; 杨辉
	2011-12-28
专利权人	苏州纳睿光电有限公司
公开日期	2011-12-28
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜；5、用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。本发明可以有效地减少激光器腔面处的悬键和表面态，抑制激光器腔面的光吸收；同时外延生长的薄膜为宽禁带材料，对出射光的吸收非常小，可以极大抑制激光器腔面处的光吸收和由此引起的温度上升，提高激光器的稳定性和可靠性。
其他摘要	一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜；5、用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。本发明可以有效地减少激光器腔面处的悬键和表面态，抑制激光器腔面的光吸收；同时外延生长的薄膜为宽禁带材料，对出射光的吸收非常小，可以极大抑制激光器腔面处的光吸收和由此引起的温度上升，提高激光器的稳定性和可靠性。
主权项	一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条； (2)用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面； (3)应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜； (4)在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜； (5)用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。
申请日期	2011-07-15
专利号	CN102299479A
专利状态	失效
申请号	CN201110198267.2
公开（公告）号	CN102299479A
IPC 分类号	H01S5/10 \| C23C14/35
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63623
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州纳睿光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	冯美鑫,张书明,王辉,等. F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法. CN102299479A[P]. 2011-12-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102299479A.PDF（359KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文