Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体元件和包括该半导体元件的半导体元件封装 | |
其他题名 | 半导体元件和包括该半导体元件的半导体元件封装 |
成演准; 李容京; 金珉成; 朴修益 | |
2019-07-09 | |
专利权人 | LG伊诺特有限公司 |
公开日期 | 2019-07-09 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 实施例公开了一种半导体元件,包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;有源层,设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;以及电子阻挡层,设置在第二导电半导体层和有源层之间,其中,第一导电半导体层的截面沿第一方向减小,电子阻挡层具有其截面在第一方向上增加的区域,从第一导电半导体层到第二导电半导体层限定第一方向。 |
其他摘要 | 实施例公开了一种半导体元件,包括:第一导电半导体层;第二导电半导体层;有源层,设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;以及电子阻挡层,设置在第二导电半导体层和有源层之间,其中,第一导电半导体层的截面沿第一方向减小,电子阻挡层具有其截面在第一方向上增加的区域,从第一导电半导体层到第二导电半导体层限定第一方向。 |
主权项 | 半导体元件,包括: 第一导电半导体层; 第二导电半导体层; 有源层,设置在所述第一导电半导体层和第二导电半导体层之间;以及 电子阻挡层,设置在所述第二导电半导体层和有源层之间, 其中,所述第一导电半导体层具有在第一方向上减小的横截面积, 所述电子阻挡层具有在第一方向上增加的横截面积,并且 所述第一方向是从第一导电半导体层朝向第二导电半导体层的方向。 |
申请日期 | 2017-11-24 |
专利号 | CN109997234A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201780072882.4 |
公开(公告)号 | CN109997234A |
IPC 分类号 | H01L33/14 | H01L33/36 | H01L33/48 |
专利代理人 | 石海霞 | 李玉锁 |
代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56140 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | LG伊诺特有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 成演准,李容京,金珉成,等. 半导体元件和包括该半导体元件的半导体元件封装. CN109997234A[P]. 2019-07-09. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109997234A.PDF(1561KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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