一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

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	一种垂直腔面发射激光器及其制备方法
其他题名	一种垂直腔面发射激光器及其制备方法
	杜石磊; 田宇; 韩效亚; 吴真龙
	2019-08-20
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2019-08-20
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，所述垂直腔面发射激光器的制备方法在砷化镓衬底的表面形成了多个构成预设的纳米图形的凸起结构，并在具有该凸起结构的一侧表面形成了应变缓冲层，以为外延结构的生长提供良好的基础；其中，多个凸起结构提供了砷化镓衬底中缺陷密度生长方向上的弯曲基础，所述应变缓冲层提供了平整的外延结构生长面，使得生长在应变缓冲层表面的外延结构可以最大程度上的避免受到砷化镓衬底中缺陷的不良影响，使得生长于应变缓冲层上的外延结构可以具有良好的晶体质量，提升了垂直腔面发射激光器的功率均匀性。
其他摘要	本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，其中，所述垂直腔面发射激光器的制备方法在砷化镓衬底的表面形成了多个构成预设的纳米图形的凸起结构，并在具有该凸起结构的一侧表面形成了应变缓冲层，以为外延结构的生长提供良好的基础；其中，多个凸起结构提供了砷化镓衬底中缺陷密度生长方向上的弯曲基础，所述应变缓冲层提供了平整的外延结构生长面，使得生长在应变缓冲层表面的外延结构可以最大程度上的避免受到砷化镓衬底中缺陷的不良影响，使得生长于应变缓冲层上的外延结构可以具有良好的晶体质量，提升了垂直腔面发射激光器的功率均匀性。
主权项	一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供砷化镓衬底；对所述砷化镓衬底进行处理，以在所述砷化镓衬底表面形成多个凸起结构，所述多个凸起结构构成预设的纳米图形；在所述砷化镓衬底表面形成应变缓冲层；在所述应变缓冲层背离所述砷化镓衬底一侧形成外延结构。
申请日期	2019-07-04
专利号	CN110148884A
专利状态	申请中
申请号	CN201910599588
公开（公告）号	CN110148884A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/22
专利代理人	张雪娇
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55459
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	杜石磊,田宇,韩效亚,等. 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法. CN110148884A[P]. 2019-08-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110148884A.PDF（1203KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文