一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法

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	一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法
其他题名	一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法
	刘恒; 王俊; 谭少阳; 荣宇峰; 曾冠澐
	2019-08-16
专利权人	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
公开日期	2019-08-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其包括如下步骤：S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案；S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中；S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体，对VCSEL外延片上未被介质薄膜覆盖的部分进行刻蚀；S4、通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体的同时，向刻蚀腔中通入He，在刻蚀形成的VCSEL台面侧壁上形成非晶硅保护层。本发明通过将He气通入到ICP刻蚀腔中，促进了SiCl4的分解，在VCSEL台面侧壁形成了一层非晶硅保护层，有效阻止了反应气体对台面侧壁的进一步刻蚀，提升了VCSEL器件台面侧壁的光滑度。
其他摘要	本发明提供一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其包括如下步骤：S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案；S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中；S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl₄和Ar的刻蚀气体，对VCSEL外延片上未被介质薄膜覆盖的部分进行刻蚀；S4、通入包含SiCl₄和Ar的刻蚀气体的同时，向刻蚀腔中通入He，在刻蚀形成的VCSEL台面侧壁上形成非晶硅保护层。本发明通过将He气通入到ICP刻蚀腔中，促进了SiCl₄的分解，在VCSEL台面侧壁形成了一层非晶硅保护层，有效阻止了反应气体对台面侧壁的进一步刻蚀，提升了VCSEL器件台面侧壁的光滑度。
主权项	一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤： S1、在VCSEL外延片上通过介质薄膜形成刻蚀图案； S2、将VCSEL外延片连同其上的介质薄膜送入刻蚀腔中； S3、向刻蚀腔中通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体，对VCSEL外延片上未被介质薄膜覆盖的部分进行刻蚀； S4、通入包含SiCl4和Ar的刻蚀气体的同时，向刻蚀腔中通入He，在刻蚀形成的VCSEL台面侧壁上形成非晶硅保护层。
申请日期	2019-05-10
专利号	CN110137804A
专利状态	申请中
申请号	CN201910391486.9
公开（公告）号	CN110137804A
IPC 分类号	H01S5/227 \| H01S5/183
专利代理人	杨淑霞
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55443
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	刘恒,王俊,谭少阳,等. 一种改善VCSEL侧壁形貌的干法刻蚀方法. CN110137804A[P]. 2019-08-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN110137804A.PDF（305KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文