垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法

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	垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法
其他题名	垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法
	田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊
	2019-05-07
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2019-05-07
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法，其中，N型DBR层由Al组分含量不同的AlYGa1‑YAs组成，不同AlYGa1‑YAs层间的势垒结减小，并利用相邻AlYGa1‑YAs层之间的应力变化拉伸势垒高度，使得N型DBR层的势垒结整体深度变浅，降低N型DBR层的串联阻值，降低N型DBR层两端的电压，减小DBR层的阈值电流，使得电流在N型DBR层中消耗较少，进而减小外延结构的热损耗，提高外延结构的功率转换效率和斜率效率。另外，不同Al组分的AlYGa1‑YAs之间形成台阶，势垒差减小，可以使电子更容易跃迁，电子与空穴复合对数增多，使粒子反转数增多，提高增益。
其他摘要	本发明公开了一种垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法，其中，N型DBR层由Al组分含量不同的Al_YGa_1‑YAs组成，不同Al_YGa_1‑YAs层间的势垒结减小，并利用相邻Al_YGa_1‑YAs层之间的应力变化拉伸势垒高度，使得N型DBR层的势垒结整体深度变浅，降低N型DBR层的串联阻值，降低N型DBR层两端的电压，减小DBR层的阈值电流，使得电流在N型DBR层中消耗较少，进而减小外延结构的热损耗，提高外延结构的功率转换效率和斜率效率。另外，不同Al组分的Al_YGa_1‑YAs之间形成台阶，势垒差减小，可以使电子更容易跃迁，电子与空穴复合对数增多，使粒子反转数增多，提高增益。
主权项	一种垂直腔面发射激光器外延结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底第一侧表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的N型分布式布拉格反射层，所述N型分布式布拉格反射层包括层叠的多个第一堆叠单元；位于所述N型分布式布拉格反射层背离所述缓冲层一侧的第一限制层；位于所述第一限制层背离所述分布式布拉格反射层一侧的第一波导层；位于所述第一波导层背离所述第一限制层一侧的量子肼发光层；位于所述量子肼发光层背离所述第一波导层一侧的第二波导层；位于所述第二波导层背离所述量子肼发光层一侧的第二限制层；位于所述第二限制层背离所述第二波导层一侧的氧化层；位于所述氧化层背离所述第二限制层一侧的P型分布式布拉格反射层，所述P型分布是布拉格反射层包括层叠的多个第二堆叠单元；其中，所述第一堆叠单元包括层叠的第一N型过渡层、第二N型过渡层、第三N型过渡层、第一N型反射层、第四N型过渡层、第五N型过渡层、第六N型过渡层和第二N型反射层，所述第一N型过渡层中铝的组分由Y1渐变到Y2，所述第二N型过渡层中铝的组分由Y2渐变到Y3，所述第三N型过渡层中铝的组分由Y3渐变到Y4，所述第一N型反射层中铝的组分为Y4，所述第四N型过渡中铝的组分由Y4渐变到Y3，所述第五N型过渡中铝的组分由Y3渐变到Y2，所述第六N型过渡中铝的组分由Y2渐变到Y1，所述第二N型反射层中铝的组分为Y1，Y1小于Y3小于Y2小于Y4；所述第二堆叠单元包括层叠的第一P型反射层和第二P型反射层，所述第一P型反射层中铝的组分大于所述第二P型反射层中铝的组分。
申请日期	2019-01-08
专利号	CN109728502A
专利状态	申请中
申请号	CN201910015307.1
公开（公告）号	CN109728502A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187 \| H01S5/34
专利代理人	尹秀 \| 王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55220
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	田宇,韩效亚,吴真龙,等. 垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法. CN109728502A[P]. 2019-05-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109728502A.PDF（688KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文