一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法

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	一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法
其他题名	一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法
	任夫洋; 苏建; 陈康; 王金翠; 肖成峰; 郑兆河
	2019-04-30
专利权人	山东华光光电子股份有限公司
公开日期	2019-04-30
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种高电流注入密度的半导体激光器，在窄脊条上GaAs接触层为内缩结构。本发明在外延片上生长做干法刻蚀用的硬质掩膜，在生长有硬质掩膜的外延片上旋涂光刻胶，并利用设定尺寸的光刻版光刻得到与所需脊条尺寸相近的光刻胶掩膜图形；使用干法刻蚀的方式以光刻胶为掩膜刻蚀硬质掩膜，继续以干法刻蚀掉外延层，形成≤5μm宽度的脊条结构；腐蚀GaAs接触层，形成内缩的脊条；再次生长SiO2做电流阻挡层；湿法腐蚀的方式去除掉GaAs接触层上表面电流阻挡层，最后形成半导体激光器。本发明利用干法刻蚀侧壁形成陡直窄脊型结构，并减小脊条顶部GaAs接触尺寸，提高了电流注入密度，增强光电转换效率。
其他摘要	一种高电流注入密度的半导体激光器，在窄脊条上GaAs接触层为内缩结构。本发明在外延片上生长做干法刻蚀用的硬质掩膜，在生长有硬质掩膜的外延片上旋涂光刻胶，并利用设定尺寸的光刻版光刻得到与所需脊条尺寸相近的光刻胶掩膜图形；使用干法刻蚀的方式以光刻胶为掩膜刻蚀硬质掩膜，继续以干法刻蚀掉外延层，形成≤5μm宽度的脊条结构；腐蚀GaAs接触层，形成内缩的脊条；再次生长SiO₂做电流阻挡层；湿法腐蚀的方式去除掉GaAs接触层上表面电流阻挡层，最后形成半导体激光器。本发明利用干法刻蚀侧壁形成陡直窄脊型结构，并减小脊条顶部GaAs接触尺寸，提高了电流注入密度，增强光电转换效率。
主权项	一种高电流注入密度的半导体激光器，其特征在于，该激光器包括：由下而上依次设置的N-电极、衬底、N-限制层、下波导层、量子肼有源区、上波导层、P-限制层和GaAs接触层；所述上波导层的宽度、P-限制层的宽度均小于量子肼有源区的宽度；所述GaAs接触层的宽度小于P-限制层的宽度；在所述量子肼有源区、上波导层的侧壁、P-限制层的侧壁和GaAs接触层的侧壁设置有电流阻挡层；在所述电流阻挡层和GaAs接触层的上表面设置有P-电极。
申请日期	2017-10-20
专利号	CN109698465A
专利状态	申请中
申请号	CN201710986642
公开（公告）号	CN109698465A
IPC 分类号	H01S5/22
专利代理人	吕利敏
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55202
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	任夫洋,苏建,陈康,等. 一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法. CN109698465A[P]. 2019-04-30.

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CN109698465A.PDF（294KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文