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一种半导体激光器结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110224300A, 申请日期: 2019-09-10, 公开日期: 2019-09-10
发明人:  任夫洋;  苏建;  陈康;  刘青;  郑兆河;  徐现刚
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一种高电流注入密度的半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109698465A, 申请日期: 2019-04-30, 公开日期: 2019-04-30
发明人:  任夫洋;  苏建;  陈康;  王金翠;  肖成峰;  郑兆河
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一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109326952A, 申请日期: 2019-02-12, 公开日期: 2019-02-12
发明人:  陈康;  苏建;  任夫洋;  刘青;  王金翠;  肖成峰;  郑兆河
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