一种VCSEL芯片及其制作方法

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	一种VCSEL芯片及其制作方法
其他题名	一种VCSEL芯片及其制作方法
	田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊
	2019-04-12
专利权人	扬州乾照光电有限公司
公开日期	2019-04-12
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种VCSEL芯片及其制作方法，包括：提供样品，样品包括衬底以及位于衬底表面的外延结构层，外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；对样品进行多个阶段的烘烤，并在中间的至少一个阶段中，使样品在As源气体中烘烤；采用间歇式生长方法在外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层。其中对样品进行多个阶段的烘烤，可以消除样品表面的杂质、胶等，从而可以提高后续形成的膜层的质量；而采用间歇式生长方法生长第二GaAs缓冲层，可以使得第二GaAs缓冲层具有平整的表面，进而可以提高后续形成的膜层的质量，使得VCSEL芯片具有较低的阈值电流，较高的增益以及更高的功率。
其他摘要	本发明提供了一种VCSEL芯片及其制作方法，包括：提供样品，样品包括衬底以及位于衬底表面的外延结构层，外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；对样品进行多个阶段的烘烤，并在中间的至少一个阶段中，使样品在As源气体中烘烤；采用间歇式生长方法在外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层。其中对样品进行多个阶段的烘烤，可以消除样品表面的杂质、胶等，从而可以提高后续形成的膜层的质量；而采用间歇式生长方法生长第二GaAs缓冲层，可以使得第二GaAs缓冲层具有平整的表面，进而可以提高后续形成的膜层的质量，使得VCSEL芯片具有较低的阈值电流，较高的增益以及更高的功率。
主权项	一种VCSEL芯片的制作方法，其特征在于，包括：提供样品，所述样品包括衬底以及位于所述衬底表面的外延结构层，所述外延结构层包括第一半导体层、MQW层、第二半导体层和第一GaAs缓冲层；对所述样品进行多个阶段的烘烤，并在中间的至少一个阶段中，使所述样品在As源气体中烘烤；采用间歇式生长方法在所述外延结构层表面生长第二GaAs缓冲层。
申请日期	2018-12-04
专利号	CN109616871A
专利状态	申请中
申请号	CN201811474280.4
公开（公告）号	CN109616871A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/183
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55153
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	扬州乾照光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	田宇,韩效亚,吴真龙,等. 一种VCSEL芯片及其制作方法. CN109616871A[P]. 2019-04-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN109616871A.PDF（553KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文