Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种半导体激光器封装结构及其制备方法 | |
其他题名 | 一种半导体激光器封装结构及其制备方法 |
石琳琳; 房俊宇; 马晓辉; 邹永刚; 徐莉; 张贺; 徐英添; 李岩; 金亮 | |
2019-04-02 | |
专利权人 | 长春理工大学 |
公开日期 | 2019-04-02 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本申请属于激光器技术领域,特别是涉及一种半导体激光器封装结构及其制备方法。由于铜化钨材料具有高热导率,低热膨胀系数,导电性优良,是一个很好的次热沉材料,随着铜化钨尺寸的增大可以达到更好的散热效果。但由于铜化钨价格昂贵,导致半导体激光器的封装成本越来越高。本申请提供一种半导体激光器封装结构及其制备方法,包括基础热沉,所述基础热沉上设置有辅助热沉,所述辅助热沉包括第一石墨热沉和第二石墨热沉,所述第一石墨热沉与所述第二石墨热沉之间设置有过渡热沉。使得在减少过渡热沉尺寸的同时,仍然能够达到更好的散热效果,在封装材料选择上不再局限于增加成本较高的封装材料尺寸(如氮化铝,铜化钨,金刚石等)。 |
其他摘要 | 本申请属于激光器技术领域,特别是涉及一种半导体激光器封装结构及其制备方法。由于铜化钨材料具有高热导率,低热膨胀系数,导电性优良,是一个很好的次热沉材料,随着铜化钨尺寸的增大可以达到更好的散热效果。但由于铜化钨价格昂贵,导致半导体激光器的封装成本越来越高。本申请提供一种半导体激光器封装结构及其制备方法,包括基础热沉,所述基础热沉上设置有辅助热沉,所述辅助热沉包括第一石墨热沉和第二石墨热沉,所述第一石墨热沉与所述第二石墨热沉之间设置有过渡热沉。使得在减少过渡热沉尺寸的同时,仍然能够达到更好的散热效果,在封装材料选择上不再局限于增加成本较高的封装材料尺寸(如氮化铝,铜化钨,金刚石等)。 |
主权项 | 一种半导体激光器封装结构,其特征在于:包括基础热沉(1),所述基础热沉(1)上设置有辅助热沉,所述辅助热沉包括第一石墨热沉(2)和第二石墨热沉(3),所述第一石墨热沉(2)与所述第二石墨热沉(3)之间设置有过渡热沉(4)。 |
申请日期 | 2018-07-26 |
专利号 | CN109560456A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201810833016.9 |
公开(公告)号 | CN109560456A |
IPC 分类号 | H01S5/024 |
专利代理人 | 范盈 |
代理机构 | 北京市诚辉律师事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/55111 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 长春理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 石琳琳,房俊宇,马晓辉,等. 一种半导体激光器封装结构及其制备方法. CN109560456A[P]. 2019-04-02. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109560456A.PDF(421KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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