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一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法
其他题名一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法
陈康; 苏建; 任夫洋; 刘青; 王金翠; 肖成峰; 郑兆河
2019-02-12
专利权人山东华光光电子股份有限公司
公开日期2019-02-12
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法,依次包括如下步骤:a)采用MOCVD法生长半导体激光器外延片;b)在接触层上生长保护层;c)在保护层上粘接临时衬底;d)对第一衬底进行减薄处理;e)在第一衬底下端切割N个开槽;f)进行湿法氧化处理;g)对第一衬底进行蒸发键合金属处理;h)去除临时衬底;i)制成激光器。通过湿法氧化处理后,制备了电流截止区域,能使脊上有较大的电流密度,提升光电转换效率,同时在第一衬底下方制作第二衬底,第二衬底相比第一衬底具备更高的热扩散系数,有利于激光器散热,提高激光器的寿命和可靠性。
其他摘要一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法,依次包括如下步骤:a)采用MOCVD法生长半导体激光器外延片;b)在接触层上生长保护层;c)在保护层上粘接临时衬底;d)对第一衬底进行减薄处理;e)在第一衬底下端切割N个开槽;f)进行湿法氧化处理;g)对第一衬底进行蒸发键合金属处理;h)去除临时衬底;i)制成激光器。通过湿法氧化处理后,制备了电流截止区域,能使脊上有较大的电流密度,提升光电转换效率,同时在第一衬底下方制作第二衬底,第二衬底相比第一衬底具备更高的热扩散系数,有利于激光器散热,提高激光器的寿命和可靠性。
主权项一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤: a)采用MOCVD法生长半导体激光器外延片,自下而上形成第一衬底(3)、外延层(2)及接触层(1); b)在接触层(1)上生长保护层(6); c)在保护层(6)上涂覆粘接剂形成粘合层(5),将临时衬底(4)粘接于粘合层(5)上; d)对第一衬底(3)进行减薄处理,将第一衬底(3)的厚度减薄至10-500; e)在第一衬底(3)下端切割N个开槽(7),N为大于等于2的自然数,开槽(7)穿透第一衬底(3),其槽底位于外延层(2)内; f)将外延片置入合金炉内进行湿法氧化处理,合金炉气体为水蒸气,温度为200-500℃,时间为10-60min; g)对第一衬底(3)进行蒸发键合金属处理,在第一衬底(3)下端制成第二衬底(8),键合温度为200-500℃,压力为200-3000kg,时间为10-40min; h)去除临时衬底(4),利用腐蚀法腐蚀掉粘合层(5)及保护层(6); i)在外延层(2)上方制作脊(9),在脊(9)上方制作正电极(10),在第二衬底(8)下方制作负电极(11),制成激光器。
申请日期2017-07-31
专利号CN109326952A
专利状态申请中
申请号CN201710636400.5
公开(公告)号CN109326952A
IPC 分类号H01S5/024 | H01S5/02
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/54992
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
陈康,苏建,任夫洋,等. 一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法. CN109326952A[P]. 2019-02-12.
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