Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器的制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器的制造方法 |
| 后藤修; 山田光志; 八重樫浩树; 堀川英明 | |
| 2004-01-28 | |
| 专利权人 | OKI半导体株式会社 |
| 公开日期 | 2004-01-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种用高精度形成用于分割半导体器件10的标记的制造半导体器件的方法，其中，多个半导体器件10制备在一个半导体衬底16上，而作为标记的刻蚀槽31形成在半导体衬底16上的半导体器件区域的外部。 |
| 其他摘要 | 一种用高精度形成用于分割半导体器件10的标记的制造半导体器件的方法，其中，多个半导体器件10制备在一个半导体衬底16上，而作为标记的刻蚀槽31形成在半导体衬底16上的半导体器件区域的外部。 |
| 申请日期 | 1998-01-25 |
| 专利号 | CN1136636C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN98104316.X |
| 公开（公告）号 | CN1136636C |
| IPC 分类号 | H01L21/308 | H01L21/78 | H01S5/00 | H01S5/02 | H01S5/16 | H01S3/18 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 王以平 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50306 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI半导体株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 后藤修,山田光志,八重樫浩树,等. 半导体激光器的制造方法. CN1136636C[P]. 2004-01-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1136636C.PDF（825KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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