Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器装置和它的制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器装置和它的制造方法 |
| 别所靖之; 畑雅幸; 井上大二朗; 山口勤 | |
| 2009-02-04 | |
| 专利权人 | 三洋电机株式会社 |
| 公开日期 | 2009-02-04 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 在蓝紫色半导体激光元件中，在上面形成p电极，在下面形成n电极。在蓝紫色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。在红色半导体激光元件中，在上面形成n电极，在下面形成p电极。在红色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。以与蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点不重叠的方式，红色半导体激光元件的p电极通过焊料膜H接合在p电极上。 |
| 其他摘要 | 在蓝紫色半导体激光元件中，在上面形成p电极，在下面形成n电极。在蓝紫色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。在红色半导体激光元件中，在上面形成n电极，在下面形成p电极。在红色半导体激光元件中，形成p型半导体和n型半导体接合面的pn接合面。以与蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点不重叠的方式，红色半导体激光元件的p电极通过焊料膜H接合在p电极上。 |
| 申请日期 | 2005-03-11 |
| 专利号 | CN100459333C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510053778 |
| 公开（公告）号 | CN100459333C |
| IPC 分类号 | H01S5/40 | H01S5/32 | H01S5/22 | H01L21/00 | H01S5/022 |
| 专利代理人 | 龙淳 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49958 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 别所靖之,畑雅幸,井上大二朗,等. 半导体激光器装置和它的制造方法. CN100459333C[P]. 2009-02-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN100459333C.PDF（1806KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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