Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法 |
| 川上俊之; 神川刚; 谷健太郎 | |
| 2012-06-06 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I-L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。 |
| 其他摘要 | 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I-L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。 |
| 申请日期 | 2008-12-26 |
| 专利号 | CN101471536B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200810190673.2 |
| 公开（公告）号 | CN101471536B |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 彭久云 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49724 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川上俊之,神川刚,谷健太郎. 氮化物半导体激光器芯片及其制造方法. CN101471536B[P]. 2012-06-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101471536B.PDF（1897KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [川上俊之]的文章 |
| [神川刚]的文章 |
| [谷健太郎]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [川上俊之]的文章 |
| [神川刚]的文章 |
| [谷健太郎]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [川上俊之]的文章 |
| [神川刚]的文章 |
| [谷健太郎]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论