Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体晶片 | |
其他题名 | 半导体晶片 |
陈辰; 宋杰; 崔周源 | |
2019-06-11 | |
专利权人 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
公开日期 | 2019-06-11 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本公开涉及一种半导体晶片,其包括:含有半极性面的PSS衬底;第一GaN半导体层,外延生长在PSS衬底的半极性面上,并具有第一厚度第二GaN半导体层,外延生长在第一GaN半导体层表面上,具有第二厚度,其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。 |
其他摘要 | 本公开涉及一种半导体晶片,其包括:含有半极性面的PSS衬底;第一GaN半导体层,外延生长在PSS衬底的半极性面上,并具有第一厚度第二GaN半导体层,外延生长在第一GaN半导体层表面上,具有第二厚度,其中所述第二GaN半导体层与第一GaN半导体层之间有阻断第一GaN半导体层内的穿透位错的氮化硅岛体。 |
申请日期 | 2018-12-04 |
专利号 | CN208970547U |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201822029819.7 |
公开(公告)号 | CN208970547U |
IPC 分类号 | H01L33/02 | H01L33/16 | H01L33/20 | H01L33/00 | H01S5/30 | B82Y40/00 |
专利代理人 | 黄剑飞 |
代理机构 | 北京金讯知识产权代理事务所(特殊普通合伙) |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49406 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈辰,宋杰,崔周源. 半导体晶片. CN208970547U[P]. 2019-06-11. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN208970547U.PDF(493KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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