Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法 |
| 城岸直辉; 荒木田孝博 | |
| 2013-12-11 | |
| 专利权人 | 索尼公司 |
| 公开日期 | 2013-12-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提供半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法。本发明提供能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的半导体层制造方法、抑制杂质失去活性的半导体层、能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的激光器二极管制造方法以及包括抑制杂质失去活性的半导体层的激光器二极管。在制造半导体层的方法中，在通过采用AsH3的外延生长形成半导体层后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH3且不另外提供新的气体。 |
| 其他摘要 | 本发明提供半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法。本发明提供能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的半导体层制造方法、抑制杂质失去活性的半导体层、能够通过简单的方法抑制杂质失去活性的激光器二极管制造方法以及包括抑制杂质失去活性的半导体层的激光器二极管。在制造半导体层的方法中，在通过采用AsH3的外延生长形成半导体层后，当工艺温度为500℃以上时停止提供AsH3且不另外提供新的气体。 |
| 申请日期 | 2010-04-07 |
| 专利号 | CN101867156B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201010158570.5 |
| 公开（公告）号 | CN101867156B |
| IPC 分类号 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 彭久云 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49226 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 城岸直辉,荒木田孝博. 半导体层及其制造方法以及激光器二极管及其制造方法. CN101867156B[P]. 2013-12-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101867156B.PDF（850KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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