Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 制作氮化物半导体发光器件的方法 | |
| 其他题名 | 制作氮化物半导体发光器件的方法 |
| 高仓辉芳; 神川刚; 金子佳加 | |
| 2012-06-06 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2012-06-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。 |
| 申请日期 | 2005-02-18 |
| 专利号 | CN1755957B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200510071664.8 |
| 公开（公告）号 | CN1755957B |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L21/20 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/02 | H01L21/00 | H01L21/205 | H01L21/306 | H01S5/20 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/30 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49225 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高仓辉芳,神川刚,金子佳加. 制作氮化物半导体发光器件的方法. CN1755957B[P]. 2012-06-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1755957B.PDF（1256KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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