Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法 | |
其他题名 | GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法 |
马提亚斯·帕斯莱克; 小尼古拉斯·威廉·梅登多普 | |
2007-08-22 | |
专利权人 | 恩智浦美国有限公司 |
公开日期 | 2007-08-22 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 一种化合物半导体结构,包括位于支撑半导体结构(7)上的镓氧化物的第一层(8),从而与之形成界面。在第一层上设置Ga-Gd氧化物的第二层(9)。GaAs基支撑半导体结构可以是GaAs基异质结构,如至少部分完成的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管(430)、异质结双极晶体管(310)或半导体激光器)。按照这样的方式,由于介电结构由紧接着Ga-Gd氧化物层的Ga2O3层形成,提供了同时在氧化物-GaAs界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏电流密度的介电层结构。Ga2O3层用于形成与GaAs基支撑半导体结构的高质量界面,同时Ga-Gd氧化物提供低氧化物漏电流密度。 |
其他摘要 | 一种化合物半导体结构,包括位于支撑半导体结构(7)上的镓氧化物的第一层(8),从而与之形成界面。在第一层上设置Ga-Gd氧化物的第二层(9)。GaAs基支撑半导体结构可以是GaAs基异质结构,如至少部分完成的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管(430)、异质结双极晶体管(310)或半导体激光器)。按照这样的方式,由于介电结构由紧接着Ga-Gd氧化物层的Ga2O3层形成,提供了同时在氧化物-GaAs界面具有低缺陷密度和具有低氧化物漏电流密度的介电层结构。Ga2O3层用于形成与GaAs基支撑半导体结构的高质量界面,同时Ga-Gd氧化物提供低氧化物漏电流密度。 |
申请日期 | 2002-12-18 |
专利号 | CN1333445C |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN02827682.5 |
公开(公告)号 | CN1333445C |
IPC 分类号 | H01L21/316 | C23C14/08 | C30B23/02 | C30B29/16 | H01L21/28 | H01L21/31 | H01L29/423 | H01L29/51 |
专利代理人 | 王永刚 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48882 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 恩智浦美国有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马提亚斯·帕斯莱克,小尼古拉斯·威廉·梅登多普. GAAS基半导体结构上的氧化层及其形成方法. CN1333445C[P]. 2007-08-22. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN1333445C.PDF(617KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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