Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种非极性GaN薄膜的生长方法 | |
其他题名 | 一种非极性GaN薄膜的生长方法 |
周健华; 郝茂盛; 颜建锋; 潘尧波; 周圣明 | |
2011-09-14 | |
专利权人 | 上海蓝光科技有限公司 |
公开日期 | 2011-09-14 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 一种非极性GaN薄膜的生长方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO2)衬底上,在N2保护下,升温到800-900℃,生长低温保护层,低温保护层反应室压力为150-500torr,三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm,对应于摩尔流量:4E-6mole/min-3E-4mole/min,然后降低压力至100-300torr,升温到1000-1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层,TMGa流量为10-200sccm,对应于摩尔流量:4E-5mol/min-1E-3mole/min,然后再升温到1150-1200℃,生长高温U-GaN约100nm,然后再降温到1000-1100℃生长U-GaN。通过生长低温保护层,保护铝酸锂衬底不被高温破坏,短暂的高温U-GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。 |
其他摘要 | 一种非极性GaN薄膜的生长方法,在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中,在铝酸锂(LiAlO2)衬底上,在N2保护下,升温到800-900℃,生长低温保护层,低温保护层反应室压力为150-500torr,三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm,对应于摩尔流量:4E-6mole/min-3E-4mole/min,然后降低压力至100-300torr,升温到1000-1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层,TMGa流量为10-200sccm,对应于摩尔流量:4E-5mol/min-1E-3mole/min,然后再升温到1150-1200℃,生长高温U-GaN约100nm,然后再降温到1000-1100℃生长U-GaN。通过生长低温保护层,保护铝酸锂衬底不被高温破坏,短暂的高温U-GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。 |
申请日期 | 2008-09-25 |
专利号 | CN101364631B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN200810200458.6 |
公开(公告)号 | CN101364631B |
IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/30 | H01L33/02 |
专利代理人 | 余明伟 |
代理机构 | 上海光华专利事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47938 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 上海蓝光科技有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 周健华,郝茂盛,颜建锋,等. 一种非极性GaN薄膜的生长方法. CN101364631B[P]. 2011-09-14. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN101364631B.PDF(185KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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