Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种非极性GaN薄膜的生长方法 | |
| 其他题名 | 一种非极性GaN薄膜的生长方法 |
| 周健华; 郝茂盛; 颜建锋; 潘尧波; 周圣明 | |
| 2011-09-14 | |
| 专利权人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 公开日期 | 2011-09-14 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种非极性GaN薄膜的生长方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)衬底上，在N2保护下，升温到800-900℃，生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min，然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-200sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-1E-3mole/min，然后再升温到1150-1200℃，生长高温U-GaN约100nm，然后再降温到1000-1100℃生长U-GaN。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，短暂的高温U-GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。 |
| 其他摘要 | 一种非极性GaN薄膜的生长方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中，在铝酸锂(LiAlO2)衬底上，在N2保护下，升温到800-900℃，生长低温保护层，低温保护层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-3E-4mole/min，然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃继续生长非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-200sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-1E-3mole/min，然后再升温到1150-1200℃，生长高温U-GaN约100nm，然后再降温到1000-1100℃生长U-GaN。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，短暂的高温U-GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。 |
| 申请日期 | 2008-09-25 |
| 专利号 | CN101364631B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200810200458.6 |
| 公开（公告）号 | CN101364631B |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/30 | H01L33/02 |
| 专利代理人 | 余明伟 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47938 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周健华,郝茂盛,颜建锋,等. 一种非极性GaN薄膜的生长方法. CN101364631B[P]. 2011-09-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101364631B.PDF（185KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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