Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 | |
| 其他题名 | 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 |
| 李国强; 温雷; 高芳亮; 张曙光; 李景灵; 管云芳 | |
| 2017-12-01 | |
| 专利权人 | 华南理工大学 |
| 公开日期 | 2017-12-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1‑xAs缓冲层，0.08 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的InxGa1‑xAs缓冲层，0.08 |
| 申请日期 | 2015-03-23 |
| 专利号 | CN104835718B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201510129129.7 |
| 公开（公告）号 | CN104835718B |
| IPC 分类号 | H01L21/02 | H01L31/18 | H01L31/0304 | H01S5/323 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 陈文姬 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47882 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,温雷,高芳亮,等. 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法. CN104835718B[P]. 2017-12-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104835718B.PDF（451KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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