Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 歪量子井戸結晶の製造方法 | |
| 其他题名 | 歪量子井戸結晶の製造方法 |
| 大塚 信之; 鬼頭 雅弘; 石野 正人; 松井 康 | |
| 2003-01-10 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2003-03-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 オーダリングを有する歪量子井戸を作製することで発振波長の温度依存性および注入電流依存性の小さい歪量子井戸半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体単結晶基板1上に第1の光導波路層2と歪井戸層3と障壁層4よりなる多重量子井戸5と第2の光導波路層6を成長する。歪井戸層を600℃以下の温度で成長することで障壁層はオーダリングしている。これにより、発振波長の温度依存性および注入電流依存性の小さい歪量子井戸半導体レーザが実現できる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供应变量子阱半导体激光器，其中振荡波长具有小的温度依赖性和注入电流依赖性，通过制造具有有序的应变量子阱。解决方案：在半导体单晶衬底1上，允许第一光波导层2，具有应变阱层3和阻挡层4的多量子阱5以及第二光波导层6发光。染色的阱层在600℃或更低的温度下生长，使得阻挡层执行有序化。这种布置使得可以实现应变量子阱半导体激光器，其中振荡波长具有小的温度依赖性和注入电流依赖性。 |
| 申请日期 | 1995-08-28 |
| 专利号 | JP3385985B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998353580 |
| 公开（公告）号 | JP3385985B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47587 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大塚 信之,鬼頭 雅弘,石野 正人,等. 歪量子井戸結晶の製造方法. JP3385985B2[P]. 2003-01-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3385985B2.PDF（76KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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