出力波長可変型光レジスタメモリ

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	出力波長可変型光レジスタメモリ
其他题名	出力波長可変型光レジスタメモリ
	津田裕之; 黒川隆志; 岩村英俊; 植之原裕行
	1998-06-19
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1998-09-03
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【目的】入射光波長に対する光レジスタメモリの感度特性を自由に設計できると同時に出射波長を任意にかつ高速に制御できる双安定半導体レーザと光ゲートを集積した波長変換光レジスタメモリを提供する。【構成】可飽和吸収部、利得部、DBRミラー部、位相調整部からなる双安定半導体レーザの可飽和吸収部L3に垂直又は所定角度を持って交差する光導波路G1を有し、双安定半導体レーザの片端に光ゲート部G2を設けたことを特徴とする波長変換光レジスタメモリである。前記光導波路部は、DFB構造あるいはDBR構造を持ち、入射波長選択性を鋭くかつ可変構成にした。また、前記光導波路の上面又は下面から光を導波路に結合するグレーティングあるいはミラー構造を付加した。また、複数の前記波長変換光レジスタメモリを同一基板上に配置した。前記双安定半導体レーザは、活性層104に多重量子井戸(MQW)構造を用いた。
其他摘要	用途：提供集成双稳态半导体激光器和光学门的波长转换光学寄存器存储器，用于自由设计光学寄存器存储器的灵敏度特性，用于入射光束的波长，同时自由控制高出射光束的波长速度。组成：一种波长转换光学寄存器存储器，其特征在于具有光学波导，该光学波导以正交角度或预定角度交叉双稳态半导体激光器的可饱和吸收部分L3，该半导体激光器由可饱和吸收部分，增益部分，DBR镜子组成。部分和相位调整部分包括位于双稳态半导体激光器一端的光闸G2。光波导部分具有DFB结构或DBR结构，确保了尖锐且可变的入射波长选择性。此外，增加了光栅或镜子结构，用于将光束从光波导的上表面或下表面耦合到波导。另外，多个波长转换寄存器存储器布置在同一基板上。双稳态半导体激光器利用多量子阱（MQW）结构用于有源层104。
申请日期	1991-06-24
专利号	JP2793382B2
专利状态	失效
申请号	JP1991151313
公开（公告）号	JP2793382B2
IPC 分类号	G02F3/02 \| H01L \| H01S \| H01S5/026 \| H01L27/10 \| H01L27/15 \| G02F \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47287
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	津田裕之,黒川隆志,岩村英俊,等. 出力波長可変型光レジスタメモリ. JP2793382B2[P]. 1998-06-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2793382B2.PDF（111KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文