Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 | |
| 其他题名 | 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片 |
| 李国强; 高芳亮; 温雷; 张曙光; 徐珍珠; 韩晶磊; 余粤锋 | |
| 2017-06-20 | |
| 专利权人 | 华南理工大学 |
| 公开日期 | 2017-06-20 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40‑80nm。本实用新型的纳米柱直径均一，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。 |
| 其他摘要 | 本实用新型公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为40‑80nm。本实用新型的纳米柱直径均一，同时解决了InN因与Si之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了InN纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。 |
| 主权项 | 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，其特征在于，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。 |
| 申请日期 | 2016-12-16 |
| 专利号 | CN206271710U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201621385234.3 |
| 公开（公告）号 | CN206271710U |
| IPC 分类号 | H01L29/06 | H01L29/20 | H01L21/02 | C30B23/02 | C30B29/60 | C30B29/40 | C30B29/02 |
| 专利代理人 | 陈文姬 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45080 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国强,高芳亮,温雷,等. 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片. CN206271710U[P]. 2017-06-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN206271710U.PDF（69KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [李国强]的文章 |
| [高芳亮]的文章 |
| [温雷]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [李国强]的文章 |
| [高芳亮]的文章 |
| [温雷]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [李国强]的文章 |
| [高芳亮]的文章 |
| [温雷]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论