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提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法
其他题名提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法
李中梁; 王向朝; 王渤帆
2014-04-09
专利权人中国科学院上海光学精密机械研究所
公开日期2014-04-09
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要一种提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法,通过合理地选择正弦相位调制深度,从原理上消除了光源的光强调制引起的系统误差,减小了电路中的直流噪声引起的随机误差,提高了振动测量精度。
其他摘要一种提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法,通过合理地选择正弦相位调制深度,从原理上消除了光源的光强调制引起的系统误差,减小了电路中的直流噪声引起的随机误差,提高了振动测量精度。
授权日期2014-04-09
申请日期2011-01-11
专利号CN102169012B
专利状态授权
申请号CN201110004286.7
公开(公告)号CN102169012B
IPC 分类号G01H9/00
专利代理人张泽纯
代理机构上海新天专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42854
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院上海光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李中梁,王向朝,王渤帆. 提高半导体激光正弦相位调制干涉仪振动测量精度的方法. CN102169012B[P]. 2014-04-09.
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