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長波長帯面発光半導体レーザ
其他题名長波長帯面発光半導体レーザ
大磯 義孝; 小濱 剛孝; 田所 貴志; 黒川 隆志
2000-10-27
专利权人日本電信電話株式会社
公开日期2001-01-09
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【目的】 InPと格子定数の異なるIII -V族半導体で構成した長波長帯面発光半導体レーザを提供することにある。 【構成】 本発明は、バッファ層と格子整合するIII -V族半導体により面発光半導体レーザ構造を構成することを特徴とする。
其他摘要[目的]提供一种长波段表面发射半导体激光器,其由具有不同InP晶格常数的III-V族半导体组成。 本发明的特征在于构成具有与缓冲层晶格匹配的III-V族半导体的表面发射半导体激光器结构。
授权日期2000-10-27
申请日期1992-10-19
专利号JP3123030B2
专利状态失效
申请号JP1992279701
公开(公告)号JP3123030B2
IPC 分类号H01S5/42 | H01S | H01S5/00 | H01S5/183
专利代理人光石 忠敬 (外2名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42375
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
大磯 義孝,小濱 剛孝,田所 貴志,等. 長波長帯面発光半導体レーザ. JP3123030B2[P]. 2000-10-27.
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