面発光半導体レーザ

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	面発光半導体レーザ
其他题名	面発光半導体レーザ
	大礒義孝; 小濱剛孝; 黒川隆志
	2000-08-11
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	2000-10-10
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【目的】低しきい値電流でレーザ発振でき、かつ容易に室温で連続発振できる面発光半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 2種類の半導体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第1半導体多層膜7と2種類の誘電体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第1誘電体多層膜8とを有する第1光反射層12と、n型クラッド層4と、活性層5とp型クラッド層6と、2種類の半導体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第2半導体多層膜3と2種類の誘電体層を交互に積層してなる光学波長の1/4の膜厚の第2の誘電体多層膜11とを有する第2反射層13と、を含み、第1光反射層12の第1誘電体多層膜8は、基板10上の誘電体膜9に融着されている。
其他摘要	本发明的一个目的是提供一种表面发射半导体激光器，其能够以低阈值电流激光振荡并且能够容易地在室温下容易地振荡。通过交替层叠两种半导体层获得的具有1/4光学波长厚度的第一半导体多层膜和通过交替层叠两种介电层获得的具有1/4光学波长厚度的第二半导体多层膜，第一光反射层12，具有厚度为4nm的第一电介质多层膜8，n型包覆层4，有源层5，p型包覆层6和交替堆叠的两种半导体层具有光学波长的1/4的膜厚度的第二半导体多层膜3和通过交替层叠两种类型的介电层形成的具有1/4的光学波长的厚度的第二电介质多层膜第一光反射层12的第一电介质多层膜8熔融接合到基板10上的电介质膜9.第一光反射层12的第一反射多层膜8熔合到基板10上的电介质膜9。
授权日期	2000-08-11
申请日期	1992-10-06
专利号	JP3097938B2
专利状态	失效
申请号	JP1992267473
公开（公告）号	JP3097938B2
IPC 分类号	H01S5/42 \| H01S \| H01S5/00 \| H01S5/183
专利代理人	谷義一 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42074
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	大礒義孝,小濱剛孝,黒川隆志. 面発光半導体レーザ. JP3097938B2[P]. 2000-08-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3097938B2.PDF（60KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文