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芯片封装体及其制作方法
其他题名芯片封装体及其制作方法
黄田昊; 吴上义; 蔡佳伦
2012-03-21
专利权人精材科技股份有限公司
公开日期2012-03-21
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开一种芯片封装体及其制作方法,上述芯片封装体包括一承载基底,其具有一凹槽。多个彼此隔绝的导电层,设置于承载基底上。至少一芯片,设置于承载基底的凹槽中,其中上述芯片具有多个电极,上述电极电连接至该些导电层。及一导电通道,设置于承载基底中,导电通道通过该些导电层电连接至该芯片的电极,其中导电通道包括多个堆叠的孔洞。
其他摘要本发明公开一种芯片封装体及其制作方法,上述芯片封装体包括一承载基底,其具有一凹槽。多个彼此隔绝的导电层,设置于承载基底上。至少一芯片,设置于承载基底的凹槽中,其中上述芯片具有多个电极,上述电极电连接至该些导电层。及一导电通道,设置于承载基底中,导电通道通过该些导电层电连接至该芯片的电极,其中导电通道包括多个堆叠的孔洞。
授权日期2012-03-21
申请日期2009-12-11
专利号CN101853842B
专利状态授权
申请号CN200910253237.X
公开(公告)号CN101853842B
IPC 分类号H01L23/498 | H01L23/12 | H01L25/00 | H01L21/48 | H01L21/50 | H01L21/60 | H01L33/62 | H01L25/075
专利代理人陈小雯
代理机构北京市柳沈律师事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39239
专题半导体激光器专利数据库
作者单位精材科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
黄田昊,吴上义,蔡佳伦. 芯片封装体及其制作方法. CN101853842B[P]. 2012-03-21.
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