Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种发光效率增强的半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种发光效率增强的半导体激光器 |
| 魏志鹏; 方铉; 牛守柱; 唐吉龙; 王登魁; 房丹; 王海珠; 李金华; 楚学影; 马晓辉; 王晓华 | |
| 2019-09-27 | |
| 专利权人 | 长春理工大学 |
| 公开日期 | 2019-09-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种发光效率增强的半导体激光器。该激光器是在传统半导体激光器制备工艺基础上，采用高真空设备在超高真空环境中对激光器外延片进行解理并进行腔面金属纳米颗粒及腔面膜制备。本发明公开的这种激光器在激光器谐振腔面制备均匀分布的金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒的自由电子与入射电磁波耦合，引起自由电子集体震荡，产生增强的局域电场，提供强大的近场增强效应，增强激光器有源区载流子的辐射复合，实现半导体激光器器件发光效率的提高。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种发光效率增强的半导体激光器。该激光器是在传统半导体激光器制备工艺基础上，采用高真空设备在超高真空环境中对激光器外延片进行解理并进行腔面金属纳米颗粒及腔面膜制备。本发明公开的这种激光器在激光器谐振腔面制备均匀分布的金属纳米颗粒，利用金属纳米颗粒的自由电子与入射电磁波耦合，引起自由电子集体震荡，产生增强的局域电场，提供强大的近场增强效应，增强激光器有源区载流子的辐射复合，实现半导体激光器器件发光效率的提高。 |
| 授权日期 | 2019-09-27 |
| 申请日期 | 2016-12-01 |
| 专利号 | CN106410605B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201611091156.0 |
| 公开（公告）号 | CN106410605B |
| IPC 分类号 | H01S5/10 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38928 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏志鹏,方铉,牛守柱,等. 一种发光效率增强的半导体激光器. CN106410605B[P]. 2019-09-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106410605B.PDF（331KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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