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一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板
其他题名一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板
林涛; 张天杰
2019-03-26
专利权人西安理工大学
公开日期2019-03-26
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板,包括用来安装VCSEL芯片本体的电极A和电极B,VCSEL芯片本体安装在电极A上,VCSEL芯片本体上的芯片引线节点通过电流引线与电极B的表面连接。相比现有的技术,引线条数增加,电流分布的均匀较好,可通入的电流增大,并使得芯片的散热均匀,可以解决现有技术中的引线不均匀而导致的电流不均匀的问题并使得芯片的散热能力增强。
其他摘要本发明公开了一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板,包括用来安装VCSEL芯片本体的电极A和电极B,VCSEL芯片本体安装在电极A上,VCSEL芯片本体上的芯片引线节点通过电流引线与电极B的表面连接。相比现有的技术,引线条数增加,电流分布的均匀较好,可通入的电流增大,并使得芯片的散热均匀,可以解决现有技术中的引线不均匀而导致的电流不均匀的问题并使得芯片的散热能力增强。
授权日期2019-03-26
申请日期2017-06-13
专利号CN107134713B
专利状态授权
申请号CN201710442818.2
公开(公告)号CN107134713B
IPC 分类号H01S5/042 | H01S5/024
专利代理人王珂瑜
代理机构西安弘理专利事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38340
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
林涛,张天杰. 一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板. CN107134713B[P]. 2019-03-26.
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CN107134713B.PDF(325KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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