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Contacts to III-V semiconductors 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: USH434, 申请日期: 1988-02-02, 公开日期: 1988-02-02
发明人:  KOSZI, LOUIS A.
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Method of improving current confinement in semiconductor lasers by inert ion bombardment 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4523961, 申请日期: 1985-06-18, 公开日期: 1985-06-18
发明人:  HARTMAN, ROBERT L.;  KOSZI, LOUIS A.;  WILLIAMS, RICHARD S.;  ZILKO, JOHN L.
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Method of forming current confinement channels in semiconductor devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4514896, 申请日期: 1985-05-07, 公开日期: 1985-05-07
发明人:  DIXON, RICHARD W.;  JOYCE, WILLIAM B.;  KOSZI, LOUIS A.;  MILLER, RICHARD C.;  SCHWARTZ, BERTRAM
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V-Groove semiconductor light emitting devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4408331, 申请日期: 1983-10-04, 公开日期: 1983-10-04
发明人:  HARTMAN, ROBERT L.;  KOSZI, LOUIS A.;  SCHWARTZ, BERTRAM
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/12/24
Light emitting semiconductor devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4313125, 申请日期: 1982-01-26, 公开日期: 1982-01-26
发明人:  HARTMAN, ROBERT L.;  KOSZI, LOUIS A.;  SCHUMAKER, NORMAN E.
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Buried double heterostructure laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4230997, 申请日期: 1980-10-28, 公开日期: 1980-10-28
发明人:  HARTMAN, ROBERT L.;  ILEGEMS, MARC;  KOSZI, LOUIS A.;  WAGNER, WILFRIED R.
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