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Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8228963, 申请日期: 2012-07-24, 公开日期: 2012-07-24
发明人:  ENYA, YOHEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  OSADA, HIDEKI;  ISHIBASHI, KEIJI;  AKITA, KATSUSHI;  UENO, MASAKI
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Compound semiconductor substrate, semiconductor device, and processes for producing them 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7863609, 申请日期: 2011-01-04, 公开日期: 2011-01-04
发明人:  ISHIBASHI, KEIJI;  NAKANISHI, FUMITAKE
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Manufacturing method of group III nitride substrate, group III nitride substrate, group III nitride substrate with epitaxial layer, manufacturing method of group III nitride substrate with epitaxial layer, and manufacturing method of group III nitride device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20080057608A1, 公开日期: 2008-03-06
发明人:  ISHIBASHI, KEIJI;  IRIKURA, MASATO;  NAKAHATA, SEIJI
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