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Light emitting diodes with graded composition active regions 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6955933, 申请日期: 2005-10-18, 公开日期: 2005-10-18
发明人:  BOUR, DAVID P.;  GARDNER, NATHAN F.;  GOETZ, WERNER K.;  STOCKMAN, STEPHEN A.;  TAKEUCHI, TETSUYA;  HASNAIN, GHULAM;  KOCOT, CHRISTOPHER P.;  HUESCHEN, MARK R.
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Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6635904, 申请日期: 2003-10-21, 公开日期: 2003-10-21
发明人:  GOETZ, WERNER K.;  CAMRAS, MICHAEL D.;  GARDNER, NATHAN F.;  KERN, R. SCOTT;  KIM, ANDREW Y.;  STOCKMAN, STEPHEN A.
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Indium gallium nitride smoothing structures for iii-nitride devices 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020171091A1, 申请日期: 2002-11-21, 公开日期: 2002-11-21
发明人:  GOETZ, WERNER K.;  CAMRAS, MICHAEL D.;  GARDNER, NATHAN F.;  KERN, R. SCOTT;  KIM, ANDREW Y.;  STOCKMAN, STEPHEN A.
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Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: DE19905516A1, 申请日期: 1999-12-09, 公开日期: 1999-12-09
发明人:  CHEN CHANGHUA;  GOETZ WERNER;  KERN R. SCOTT;  KUO CHIHPING
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