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作为半导体外延薄膜生长用衬底的纤锌矿结构氧化物 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1105401C, 申请日期: 2003-04-09, 公开日期: 2003-04-09
发明人:  B・H・T・切尔
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