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液相成長装置およびそれを用いた半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3664449B2, 申请日期: 2005-04-08, 公开日期: 2005-06-29
发明人:  石住 隆司
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3142634B2, 申请日期: 2000-12-22, 公开日期: 2001-03-07
发明人:  森本 泰司;  石住 隆司
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995022697A, 申请日期: 1995-01-24, 公开日期: 1995-01-24
发明人:  森本 泰司;  石住 隆司;  兼岩 進治;  林 寛
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光半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993304313A, 申请日期: 1993-11-16, 公开日期: 1993-11-16
发明人:  大島 昇;  森本 泰司;  石住 隆司;  林 寛;  上田 禎亮;  小川 勝;  宮嵜 啓介
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半導体レーザ素子およびその作製方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993291696A, 申请日期: 1993-11-05, 公开日期: 1993-11-05
发明人:  石住 ▲隆▼司;  竹川 浩;  森本 泰司
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993037072A, 申请日期: 1993-02-12, 公开日期: 1993-02-12
发明人:  森本 泰司;  石住 隆司
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